(新素材創製) 両面陽極酸化アルミナを用いた抵抗スイッチングメモリ構造体 Resistive switching memory structure using double-sided-anodized porous alumina (文責: 2年生N.S.)

インジウムスズ酸化物(や酸化亜鉛などの透明電極と組み合わせることにより、透明な不揮発性メモリを作ることが可能になります。This structure becomes a transparent nonvolatile memory by combining with a transparent electrode such as Indium Tin Oxide (ITO) or ZnO.

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Interview: 香取 浩子(磁性・材料物性)Prof. Hiroko Katori (Magnetism in Condensed Matter)

磁性体の研究では、まず、研究目的に適した物質を合成します。そのためには「化学」の知識が必要です。次に、合成した物質の性質を様々な測定手法 を用いて調べ、それらの結果からどのような秩序形成が生じているかを解明します。そのためには「物理学」の知識が必要です。

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